
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 31.37 грн |
13+ | 28.90 грн |
100+ | 20.87 грн |
500+ | 20.79 грн |
1000+ | 20.34 грн |
1500+ | 15.69 грн |
3000+ | 15.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN3R5-25MLDX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.72mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1334 pF @ 12 V.
Інші пропозиції PSMN3R5-25MLDX за ціною від 21.96 грн до 57.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMN3R5-25MLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.72mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1334 pF @ 12 V |
на замовлення 1478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
PSMN3R5-25MLDX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
PSMN3R5-25MLDX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
PSMN3R5-25MLDX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
![]() |
PSMN3R5-25MLDX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
PSMN3R5-25MLDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
PSMN3R5-25MLDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 70A; Idm: 405A Case: LFPAK33; SOT1210 Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 18.9nC On-state resistance: 9.2mΩ Drain current: 70A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 25V Power dissipation: 65W Pulsed drain current: 405A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
![]() |
PSMN3R5-25MLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.72mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1334 pF @ 12 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
PSMN3R5-25MLDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 70A; Idm: 405A Case: LFPAK33; SOT1210 Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 18.9nC On-state resistance: 9.2mΩ Drain current: 70A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 25V Power dissipation: 65W Pulsed drain current: 405A |
товару немає в наявності |