Технічний опис PSMN3R5-30YL,115 Nexperia USA Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 100A, Pulsed drain current: 447A, Power dissipation: 74W, Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3.37mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 19nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції PSMN3R5-30YL,115 за ціною від 32.00 грн до 149.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN3R5-30YL,115 | Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN3R5-30YL,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 447A Power dissipation: 74W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1055 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN3R5-30YL,115 | Nexperia |
MOSFETs PSMN3R5-30YL/SOT669/LFPAK |
на замовлення 1204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PSMN3R5-30YL,115 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.18 грн |
| 10+ | 69.48 грн |
| 50+ | 51.85 грн |
| 100+ | 43.32 грн |
| 500+ | 32.00 грн |
| PSMN3R5-30YL,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 149.84 грн |
| 10+ | 110.29 грн |
| 25+ | 83.14 грн |
| 100+ | 74.66 грн |
| 250+ | 69.57 грн |
| 500+ | 66.18 грн |
| 1000+ | 59.39 грн |
| PSMN3R5-30YL,115 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN3R5-30YL/SOT669/LFPAK
MOSFETs PSMN3R5-30YL/SOT669/LFPAK
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)