на замовлення 5024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.12 грн |
| 10+ | 58.25 грн |
| 100+ | 45.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN3R5-40YSDX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 20 V.
Інші пропозиції PSMN3R5-40YSDX за ціною від 71.52 грн до 182.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN3R5-40YSDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 20 V |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| PSMN3R5-40YSDX | Виробник : NEXPERIA |
N-channel 100 V Standard level MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
PSMN3R5-40YSDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |