на замовлення 3635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 338.06 грн |
| 10+ | 257.74 грн |
| 50+ | 192.42 грн |
| 100+ | 165.26 грн |
| 250+ | 164.50 грн |
| 500+ | 153.18 грн |
| 1000+ | 142.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN3R5-80PS,127 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN3R5-80PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PSMN3R5-80PS,127 за ціною від 143.85 грн до 357.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN3R5-80PS,127 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PSMN3R5-80PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN3R5-80PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 338W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PSMN3R5-80PS,127 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
PSMN3R5-80PS,127 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
PSMN3R5-80PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
PSMN3R5-80PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 803A; 338W Mounting: THT Case: SOT78; TO220AB Kind of package: tube Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A On-state resistance: 7.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 338W Polarisation: unipolar Gate charge: 139nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 803A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
PSMN3R5-80PS,127 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 338W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
PSMN3R5-80PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 803A; 338W Mounting: THT Case: SOT78; TO220AB Kind of package: tube Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A On-state resistance: 7.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 338W Polarisation: unipolar Gate charge: 139nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 803A |
товару немає в наявності |