PSMN3R5-80PS,127 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V
на замовлення 6162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 284.37 грн |
| 10+ | 230.01 грн |
| 100+ | 186.09 грн |
| 500+ | 155.24 грн |
| 1000+ | 132.92 грн |
| 2000+ | 125.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN3R5-80PS,127 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN3R5-80PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm.
Інші пропозиції PSMN3R5-80PS,127 за ціною від 129.35 грн до 330.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN3R5-80PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN3R5-80PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 338W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm |
на замовлення 587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN3R5-80PS,127 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN3R5-80PS/SOT78/SIL3P |
на замовлення 3843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN3R5-80PS,127 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN3R5-80PS,127 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN3R5-80PS,127 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PSMN3R5-80PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PSMN3R5-80PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 803A; 338W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Pulsed drain current: 803A Power dissipation: 338W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 139nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN3R5-80PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 803A; 338W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Pulsed drain current: 803A Power dissipation: 338W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 139nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |