PSMN3R5-80YSFX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7227 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 93.51 грн |
| 3000+ | 84.79 грн |
| 7500+ | 81.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN3R5-80YSFX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN3R5-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0028 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 294W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: LFPAK56E, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PSMN3R5-80YSFX за ціною від 88.14 грн до 202.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN3R5-80YSFX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN3R5-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0028 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 294W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: LFPAK56E Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 9771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN3R5-80YSFX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7227 pF @ 40 V |
на замовлення 9456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN3R5-80YSFX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN3R5-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0028 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 294W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: LFPAK56E Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 9771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN3R5-80YSFX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN3R5-80YSF/SOT1023/4 LEADS |
на замовлення 2686 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN3R5-80YSFX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 150A 5-Pin(4+Tab) LFPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PSMN3R5-80YSFX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 150A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMN3R5-80YSFX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 135A; Idm: 765A; 294W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 135A Pulsed drain current: 765A Power dissipation: 294W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 112.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| PSMN3R5-80YSFX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 135A; Idm: 765A; 294W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 135A Pulsed drain current: 765A Power dissipation: 294W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 112.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |