PSMN3R5-80YSFX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7227 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 103.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN3R5-80YSFX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN3R5-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2800 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 294W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: LFPAK56E, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN3R5-80YSFX за ціною від 111.59 грн до 363.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN3R5-80YSFX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 150A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 31500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN3R5-80YSFX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN3R5-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2800 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 294W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: LFPAK56E Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 5842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN3R5-80YSFX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 150A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 28200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN3R5-80YSFX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7227 pF @ 40 V |
на замовлення 3243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN3R5-80YSFX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN3R5-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2800 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: LFPAK56E Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 5842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN3R5-80YSFX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 150A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| PSMN3R5-80YSFX | Виробник : Nexperia |
N-Channel 80 V 150A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
PSMN3R5-80YSFX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| PSMN3R5-80YSFX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 135A; Idm: 765A; 294W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 135A Pulsed drain current: 765A Power dissipation: 294W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 112.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |