Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN3R7-100BSEJ
PSMN3R7-100BSEJ

PSMN3R7-100BSEJ Nexperia USA Inc.

PSMN3R7-100BSE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16370 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+143.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R7-100BSEJ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.95mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 405W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16370 pF @ 50 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.

Інші пропозиції PSMN3R7-100BSEJ за ціною від 124.53 грн до 358.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+158.83 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : NEXPERIA 2648646.pdf Description: NEXPERIA - PSMN3R7-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.00336 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00336ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+191.00 грн
500+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+200.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+206.23 грн
10+178.65 грн
100+153.48 грн
500+135.14 грн
800+124.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+222.09 грн
64+192.39 грн
100+165.29 грн
500+145.54 грн
800+134.10 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+243.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+256.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+267.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN3R7-100BSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16370 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 5851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.24 грн
10+205.65 грн
100+168.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+281.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : NEXPERIA 2648646.pdf Description: NEXPERIA - PSMN3R7-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.00336 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00336ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+321.91 грн
10+245.34 грн
100+191.00 грн
500+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : Nexperia PSMN3R7_100BSE-1545573.pdf MOSFETs PSMN3R7-100BSE/SOT404/D2PAK
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.76 грн
10+297.09 грн
25+247.33 грн
100+209.16 грн
250+205.49 грн
500+190.08 грн
800+154.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : NEXPERIA psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ Виробник : NEXPERIA PSMN3R7-100BSE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 780A; 405W
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 405W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 246nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 780A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ Виробник : NEXPERIA PSMN3R7-100BSE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 780A; 405W
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 405W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 246nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 780A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.