Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN3R7-100BSEJ
PSMN3R7-100BSEJ

PSMN3R7-100BSEJ Nexperia USA Inc.

PSMN3R7-100BSE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16370 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+147.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R7-100BSEJ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.95mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 405W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16370 pF @ 50 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.

Інші пропозиції PSMN3R7-100BSEJ за ціною від 134.75 грн до 368.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+184.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : NEXPERIA 2648646.pdf Description: NEXPERIA - PSMN3R7-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.00336 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00336ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+196.39 грн
500+174.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+201.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+223.16 грн
64+193.32 грн
100+166.09 грн
500+146.24 грн
800+134.75 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+239.10 грн
10+207.13 грн
100+177.95 грн
500+156.69 грн
800+144.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+244.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+258.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+268.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+282.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN3R7-100BSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16370 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 5851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.15 грн
10+211.45 грн
100+173.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : NEXPERIA 2648646.pdf Description: NEXPERIA - PSMN3R7-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.00336 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00336ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+330.99 грн
10+252.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : Nexperia PSMN3R7_100BSE-1545573.pdf MOSFETs PSMN3R7-100BSE/SOT404/D2PAK
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.88 грн
10+305.46 грн
25+254.30 грн
100+215.06 грн
250+211.29 грн
500+195.44 грн
800+158.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Виробник : NEXPERIA psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ Виробник : NEXPERIA PSMN3R7-100BSE.pdf PSMN3R7-100BSEJ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.