Продукція > NEXPERIA > PSMN3R8-100BS,118
PSMN3R8-100BS,118

PSMN3R8-100BS,118 Nexperia

3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3200+90.66 грн
Мінімальне замовлення: 3200
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R8-100BS,118 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN3R8-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.00328 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN3R8-100BS,118 за ціною від 98.33 грн до 315.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+98.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+98.33 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+105.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+105.89 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN3R8-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+118.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+123.92 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+137.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+205.73 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN3R8-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
на замовлення 12927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.34 грн
10+172.09 грн
100+139.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN3R8-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.00328 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+312.03 грн
10+216.53 грн
100+159.72 грн
500+137.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia PSMN3R8-100BS.pdf MOSFETs PSMN3R8-100BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.95 грн
10+201.71 грн
25+172.47 грн
100+142.38 грн
250+133.57 грн
500+117.43 грн
800+109.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : NEXPERIA 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081564474DFA259&compId=PSMN3R8-100BS.pdf?ci_sign=15f5fba9cd5bd7b3cca774c6f4b7f411fc3bd5ad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 10.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 306W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081564474DFA259&compId=PSMN3R8-100BS.pdf?ci_sign=15f5fba9cd5bd7b3cca774c6f4b7f411fc3bd5ad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 10.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 306W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.