PSMN3R8-100BS,118 Nexperia USA Inc.


PSMN3R8-100BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+124.40 грн
1600+112.23 грн
2400+108.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R8-100BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN3R8-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3280 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 306W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3280µohm.

Інші пропозиції PSMN3R8-100BS,118 за ціною від 106.60 грн до 451.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Nexperia PSMN3R8-100BS.pdf MOSFETs PSMN3R8-100BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+330.02 грн
10+215.53 грн
100+130.29 грн
500+117.75 грн
800+106.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN3R8-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
на замовлення 5063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.26 грн
10+214.43 грн
100+152.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN3R8-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3280 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3280µohm
на замовлення 5133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+451.94 грн
10+319.45 грн
100+254.42 грн
500+200.77 грн
1000+172.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN3R8-100BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+330.02 грн
10+215.53 грн
100+130.29 грн
500+117.75 грн
800+106.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
на замовлення 5063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+336.26 грн
10+214.43 грн
100+152.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 NEXP-S-A0003059793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN3R8-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3280 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3280µohm
на замовлення 5133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+451.94 грн
10+319.45 грн
100+254.42 грн
500+200.77 грн
1000+172.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.