Продукція > NEXPERIA > PSMN3R8-100BS,118
PSMN3R8-100BS,118

PSMN3R8-100BS,118 Nexperia

3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3200+90.88 грн
Мінімальне замовлення: 3200
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R8-100BS,118 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN3R8-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3280 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3280µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN3R8-100BS,118 за ціною від 106.15 грн до 329.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+106.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+106.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+106.64 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+114.25 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+130.44 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+140.72 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN3R8-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+142.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia PSMN3R8-100BS.pdf MOSFETs SOT404 100V 120A
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.36 грн
10+193.92 грн
100+136.26 грн
500+130.23 грн
800+109.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN3R8-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3280 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3280µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+282.90 грн
10+205.21 грн
100+166.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN3R8-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
на замовлення 11345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+329.80 грн
10+210.15 грн
100+149.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : NEXPERIA 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : Nexperia 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081564474DFA259&compId=PSMN3R8-100BS.pdf?ci_sign=15f5fba9cd5bd7b3cca774c6f4b7f411fc3bd5ad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081564474DFA259&compId=PSMN3R8-100BS.pdf?ci_sign=15f5fba9cd5bd7b3cca774c6f4b7f411fc3bd5ad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.