PSMN3R9-100YSFX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 68.91 грн |
| 3000+ | 62.05 грн |
| 4500+ | 59.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN3R9-100YSFX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 245W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 50 V.
Інші пропозиції PSMN3R9-100YSFX за ціною від 70.31 грн до 244.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN3R9-100YSFX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 5800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN3R9-100YSFX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 50 V |
на замовлення 4538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN3R9-100YSFX | Nexperia |
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 3661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| PSMN3R9-100YSFX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 166+ | 213.81 грн |
| 500+ | 201.99 грн |
| 1000+ | 191.36 грн |
| PSMN3R9-100YSFX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 50 V
на замовлення 4538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 214.35 грн |
| 10+ | 133.87 грн |
| 100+ | 92.57 грн |
| 500+ | 70.31 грн |
| PSMN3R9-100YSFX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 3661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 244.84 грн |
| 10+ | 157.98 грн |
| 100+ | 96.65 грн |
| 500+ | 83.53 грн |
| 1000+ | 80.08 грн |
| 1500+ | 72.49 грн |
| 3000+ | 71.80 грн |