Продукція > NEXPERIA > PSMN3R9-100YSFX
PSMN3R9-100YSFX

PSMN3R9-100YSFX Nexperia

psmn3r9-100ysf.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
166+213.81 грн
500+201.99 грн
1000+191.36 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R9-100YSFX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN3R9-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 245W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: LFPAK56E, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN3R9-100YSFX за ціною від 95.47 грн до 221.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN3R9-100YSFX PSMN3R9-100YSFX Nexperia USA Inc. PSMN3R9-100YSF.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 50 V
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.34 грн
10+138.06 грн
100+95.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFX PSMN3R9-100YSFX Nexperia PSMN3R9-100YSF.pdf MOSFETs PSMN3R9-100YSF/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFX PSMN3R9-100YSFX NEXPERIA PSMN3R9-100YSF.pdf Description: NEXPERIA - PSMN3R9-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFX PSMN3R9-100YSFX NEXPERIA PSMN3R9-100YSF.pdf Description: NEXPERIA - PSMN3R9-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFX PSMN3R9-100YSF.pdf
PSMN3R9-100YSFX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 50 V
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+221.34 грн
10+138.06 грн
100+95.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFX PSMN3R9-100YSF.pdf
PSMN3R9-100YSFX
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN3R9-100YSF/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFX PSMN3R9-100YSF.pdf
PSMN3R9-100YSFX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN3R9-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFX PSMN3R9-100YSF.pdf
PSMN3R9-100YSFX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN3R9-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.