Продукція > NEXPERIA > PSMN3R9-60PSQ
PSMN3R9-60PSQ

PSMN3R9-60PSQ NEXPERIA

PSMN3R9-60PS.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Case: SOT78; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Gate charge: 103nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 130A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+181.96 грн
10+161.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R9-60PSQ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN3R9-60PSQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.00294 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00294ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PSMN3R9-60PSQ за ціною від 87.41 грн до 241.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PSQ Nexperia PSMN3R9_60PS-2939084.pdf MOSFET PSMN3R9-60PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 11929 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+211.57 грн
10+178.54 грн
100+129.81 грн
500+114.81 грн
1000+91.32 грн
5000+88.06 грн
10000+87.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PSQ Nexperia USA Inc. PSMN3R9-60PS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 4023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.18 грн
10+208.43 грн
100+170.79 грн
500+136.45 грн
1000+115.07 грн
2000+109.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PSQ NEXPERIA NEXP-S-A0003060183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN3R9-60PSQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.00294 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00294ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9_60PS-2939084.pdf
PSMN3R9-60PSQ
Виробник: Nexperia
MOSFET PSMN3R9-60PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 11929 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+211.57 грн
10+178.54 грн
100+129.81 грн
500+114.81 грн
1000+91.32 грн
5000+88.06 грн
10000+87.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PS.pdf
PSMN3R9-60PSQ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 4023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+241.18 грн
10+208.43 грн
100+170.79 грн
500+136.45 грн
1000+115.07 грн
2000+109.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQ NEXP-S-A0003060183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN3R9-60PSQ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN3R9-60PSQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.00294 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00294ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.