Продукція > NEXPERIA > PSMN3R9-60PSQ
PSMN3R9-60PSQ

PSMN3R9-60PSQ NEXPERIA

PSMN3R9-60PS.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+174.50 грн
10+166.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R9-60PSQ NEXPERIA

Description: MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 263W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції PSMN3R9-60PSQ за ціною від 92.51 грн до 242.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PSQ Nexperia PSMN3R9_60PS-2939084.pdf MOSFET PSMN3R9-60PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 11929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.90 грн
10+188.95 грн
100+137.38 грн
500+121.50 грн
1000+96.65 грн
5000+93.20 грн
10000+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PSQ Nexperia USA Inc. PSMN3R9-60PS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 4023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.31 грн
10+209.40 грн
100+171.59 грн
500+137.08 грн
1000+115.61 грн
2000+109.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9_60PS-2939084.pdf
PSMN3R9-60PSQ
Виробник: Nexperia
MOSFET PSMN3R9-60PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 11929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+223.90 грн
10+188.95 грн
100+137.38 грн
500+121.50 грн
1000+96.65 грн
5000+93.20 грн
10000+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PS.pdf
PSMN3R9-60PSQ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 4023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+242.31 грн
10+209.40 грн
100+171.59 грн
500+137.08 грн
1000+115.61 грн
2000+109.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.