Продукція > NEXPERIA > PSMN4R0-30YLDX
PSMN4R0-30YLDX

PSMN4R0-30YLDX Nexperia

3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+20.72 грн
38+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R0-30YLDX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 3400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V, Verlustleistung: 64W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm.

Інші пропозиції PSMN4R0-30YLDX за ціною від 13.52 грн до 159.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Nexperia USA Inc. PSMN4R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.54 грн
3000+19.93 грн
4500+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Nexperia 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Nexperia 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Nexperia PSMN4R0-30YLD.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 30V 95A
на замовлення 19215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.57 грн
11+31.41 грн
100+19.58 грн
500+17.00 грн
1000+16.09 грн
1500+14.14 грн
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX NEXPERIA PSMN4R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 378A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.29 грн
14+31.70 грн
50+27.42 грн
100+26.17 грн
200+25.16 грн
250+24.82 грн
500+23.15 грн
1000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX NEXPERIA 2575349.pdf Description: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 3400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.19 грн
200+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Nexperia USA Inc. PSMN4R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
на замовлення 14762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.76 грн
100+34.73 грн
500+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX NEXPERIA 2575349.pdf Description: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 3400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
Verlustleistung: 64W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.32 грн
11+76.90 грн
50+62.75 грн
200+44.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Nexperia 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLD.pdf
PSMN4R0-30YLDX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+22.54 грн
3000+19.93 грн
4500+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf
PSMN4R0-30YLDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf
PSMN4R0-30YLDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLD.pdf
PSMN4R0-30YLDX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 95A
на замовлення 19215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.57 грн
11+31.41 грн
100+19.58 грн
500+17.00 грн
1000+16.09 грн
1500+14.14 грн
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLD.pdf
PSMN4R0-30YLDX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 378A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.29 грн
14+31.70 грн
50+27.42 грн
100+26.17 грн
200+25.16 грн
250+24.82 грн
500+23.15 грн
1000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX 2575349.pdf
PSMN4R0-30YLDX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 3400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+65.19 грн
200+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLD.pdf
PSMN4R0-30YLDX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
на замовлення 14762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.00 грн
10+52.76 грн
100+34.73 грн
500+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX 2575349.pdf
PSMN4R0-30YLDX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 3400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
Verlustleistung: 64W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+159.32 грн
11+76.90 грн
50+62.75 грн
200+44.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf
PSMN4R0-30YLDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.