на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4500+ | 14.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN4R0-30YLDX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 3400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 64W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN4R0-30YLDX за ціною від 14.64 грн до 106.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN4R0-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN4R0-30YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PSMN4R0-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PSMN4R0-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PSMN4R0-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PSMN4R0-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PSMN4R0-30YLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V |
на замовлення 28500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PSMN4R0-30YLDX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 95A |
на замовлення 19215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PSMN4R0-30YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 378A Drain current: 95A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 9.1nC On-state resistance: 4.4mΩ Power dissipation: 64W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement |
на замовлення 692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PSMN4R0-30YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 3400 µohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V euEccn: NLR Verlustleistung: 64W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PSMN4R0-30YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 378A Drain current: 95A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 9.1nC On-state resistance: 4.4mΩ Power dissipation: 64W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 692 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PSMN4R0-30YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 3400 µohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V euEccn: NLR Verlustleistung: 64W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PSMN4R0-30YLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V |
на замовлення 29615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PSMN4R0-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
PSMN4R0-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
PSMN4R0-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |




