Продукція > NEXPERIA > PSMN4R0-30YLDX
PSMN4R0-30YLDX

PSMN4R0-30YLDX NEXPERIA

3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R0-30YLDX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 0.0034 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 64W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN4R0-30YLDX за ціною від 14.13 грн до 41.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Виробник : Nexperia 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Виробник : Nexperia 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Виробник : Nexperia 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Виробник : Nexperia 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN4R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+19.96 грн
3000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Виробник : Nexperia 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+23.26 грн
100+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Виробник : Nexperia 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA 2575349.pdf Description: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 0.0034 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.72 грн
200+24.83 грн
500+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN4R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
на замовлення 41865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.88 грн
100+24.68 грн
500+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA 2575349.pdf Description: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 0.0034 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.06 грн
24+35.40 грн
50+31.86 грн
200+26.29 грн
500+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Виробник : Nexperia PSMN4R0-30YLD.pdf MOSFETs PSMN4R0-30YLD/SOT669/LFPAK
на замовлення 22087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.63 грн
100+28.51 грн
500+20.67 грн
1000+18.02 грн
24000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Виробник : Nexperia 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Виробник : Nexperia 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA PSMN4R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 95A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 378A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA PSMN4R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 95A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 378A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.