Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN4R0-30YLDX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 3400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V, Verlustleistung: 64W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm.
Інші пропозиції PSMN4R0-30YLDX за ціною від 20.01 грн до 88.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN4R0-30YLDX | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN4R0-30YLDX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN4R0-30YLDX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN4R0-30YLDX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V |
на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN4R0-30YLDX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN4R0-30YLDX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN4R0-30YLDX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN4R0-30YLDX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 95A Pulsed drain current: 378A Power dissipation: 64W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1539 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN4R0-30YLDX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V |
на замовлення 14722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN4R0-30YLDX | Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 95A |
на замовлення 19215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
PSMN4R0-30YLDX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 3400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V Verlustleistung: 64W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
PSMN4R0-30YLDX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
PSMN4R0-30YLDX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
PSMN4R0-30YLDX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 3400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V Verlustleistung: 64W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| PSMN4R0-30YLDX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 20.76 грн |
| 38+ | 20.08 грн |
| PSMN4R0-30YLDX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 20.76 грн |
| PSMN4R0-30YLDX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 20.81 грн |
| PSMN4R0-30YLDX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 22.85 грн |
| 3000+ | 20.20 грн |
| 4500+ | 20.01 грн |
| PSMN4R0-30YLDX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 28.00 грн |
| PSMN4R0-30YLDX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 28.06 грн |
| PSMN4R0-30YLDX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4500+ | 32.97 грн |
| PSMN4R0-30YLDX |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 378A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 378A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 52.80 грн |
| 14+ | 31.41 грн |
| 50+ | 27.17 грн |
| 100+ | 25.93 грн |
| 200+ | 24.93 грн |
| 250+ | 24.60 грн |
| 500+ | 22.93 грн |
| 1000+ | 21.19 грн |
| PSMN4R0-30YLDX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
на замовлення 14722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.54 грн |
| 10+ | 53.47 грн |
| 100+ | 35.21 грн |
| 500+ | 25.67 грн |
| PSMN4R0-30YLDX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 95A
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 95A
на замовлення 19215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PSMN4R0-30YLDX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 3400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
Verlustleistung: 64W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
Description: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 3400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
Verlustleistung: 64W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PSMN4R0-30YLDX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PSMN4R0-30YLDX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PSMN4R0-30YLDX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 3400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
Verlustleistung: 64W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
Description: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 3400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
Verlustleistung: 64W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)