Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN4R0-40YS,115
PSMN4R0-40YS,115

PSMN4R0-40YS,115 Nexperia USA Inc.

PSMN4R0-40YS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+37.65 грн
3000+33.59 грн
4500+32.23 грн
7500+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R0-40YS,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN4R0-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 4200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 106W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN4R0-40YS,115 за ціною від 35.11 грн до 204.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Nexperia 4380981021624704psmn4r0-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 NEXPERIA PHGLS22145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R0-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 4200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 29890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.05 грн
500+51.10 грн
1000+42.57 грн
5000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Nexperia 4380981021624704psmn4r0-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.29 грн
500+104.65 грн
1000+96.52 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Nexperia 4380981021624704psmn4r0-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.29 грн
500+104.65 грн
1000+96.52 грн
10000+82.98 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN4R0-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 60189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+77.97 грн
100+52.46 грн
500+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 NEXPERIA PHGLS22145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R0-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 4200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 29890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.84 грн
10+132.49 грн
100+82.10 грн
500+59.78 грн
1000+51.28 грн
5000+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Nexperia PSMN4R0-40YS.pdf MOSFETs PSMN4R0-40YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 39921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 4380981021624704psmn4r0-40ys.pdf
PSMN4R0-40YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PHGLS22145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN4R0-40YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R0-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 4200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 29890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+74.05 грн
500+51.10 грн
1000+42.57 грн
5000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 4380981021624704psmn4r0-40ys.pdf
PSMN4R0-40YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
305+116.29 грн
500+104.65 грн
1000+96.52 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 4380981021624704psmn4r0-40ys.pdf
PSMN4R0-40YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
305+116.29 грн
500+104.65 грн
1000+96.52 грн
10000+82.98 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS.pdf
PSMN4R0-40YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 60189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.98 грн
10+77.97 грн
100+52.46 грн
500+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PHGLS22145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN4R0-40YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R0-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 4200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 29890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+204.84 грн
10+132.49 грн
100+82.10 грн
500+59.78 грн
1000+51.28 грн
5000+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS.pdf
PSMN4R0-40YS,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN4R0-40YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 39921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.