Продукція > NEXPERIA > PSMN4R0-40YS,115
PSMN4R0-40YS,115

PSMN4R0-40YS,115 NEXPERIA

4380981021624704psmn4r0-40ys.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R0-40YS,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN4R0-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0032 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 106W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN4R0-40YS,115 за ціною від 31.56 грн до 114.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : Nexperia 4380981021624704psmn4r0-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : Nexperia 4380981021624704psmn4r0-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN4R0-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : Nexperia 4380981021624704psmn4r0-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+39.07 грн
3000+36.83 грн
7500+36.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+46.22 грн
21+45.98 грн
25+44.65 грн
56+43.47 грн
100+43.00 грн
500+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : NEXPERIA PSMN4R0-40YS.pdf Description: NEXPERIA - PSMN4R0-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0032 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 31817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.04 грн
500+40.87 грн
1000+35.05 грн
5000+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 733 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.96 грн
6+57.60 грн
21+55.18 грн
25+53.58 грн
56+52.16 грн
100+51.60 грн
500+50.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 733 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.96 грн
6+57.60 грн
21+55.18 грн
25+53.58 грн
56+52.16 грн
100+51.60 грн
500+50.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : Nexperia PSMN4R0-40YS.pdf MOSFETs N-channel LFPAK 60 V, 4.0 mohm standard level FET
на замовлення 51042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.86 грн
10+62.65 грн
25+47.84 грн
100+36.37 грн
250+35.09 грн
500+33.66 грн
1000+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : NEXPERIA PHGLS22145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R0-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0032 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 31809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.73 грн
11+77.63 грн
100+55.87 грн
500+40.72 грн
1000+34.90 грн
5000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN4R0-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 65508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.28 грн
10+74.67 грн
100+52.45 грн
500+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : Nexperia 4380981021624704psmn4r0-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : Nexperia 4380981021624704psmn4r0-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.