PSMN4R0-60YS,115 Nexperia USA Inc.


PSMN4R0-60YS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+51.19 грн
3000+45.86 грн
4500+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R0-60YS,115 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V.

Інші пропозиції PSMN4R0-60YS,115 за ціною від 52.66 грн до 208.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PSMN4R0-60YS,115 PSMN4R0-60YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN4R0-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
на замовлення 5908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.54 грн
10+103.03 грн
100+70.17 грн
500+52.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-60YS,115 PSMN4R0-60YS,115 Nexperia PSMN4R0-60YS.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 60V 74A
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.55 грн
10+131.69 грн
50+87.28 грн
100+77.51 грн
1500+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-60YS,115 PSMN4R0-60YS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
на замовлення 5908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+166.54 грн
10+103.03 грн
100+70.17 грн
500+52.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-60YS,115 PSMN4R0-60YS.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 74A
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+208.55 грн
10+131.69 грн
50+87.28 грн
100+77.51 грн
1500+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.