на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 84.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN4R0-60YS,115 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V.
Інші пропозиції PSMN4R0-60YS,115 за ціною від 75.34 грн до 152.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN4R0-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN4R0-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 74A |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PSMN4R0-60YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
PSMN4R0-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
PSMN4R0-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
PSMN4R0-60YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
PSMN4R0-60YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |


