PSMN4R1-30YLC,115

PSMN4R1-30YLC,115 Nexperia USA Inc.


PSMN4R1-30YLC.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 92A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1502 pF @ 15 V
на замовлення 1250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.31 грн
10+41.44 грн
100+28.52 грн
500+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R1-30YLC,115 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 92A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 67W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1502 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PSMN4R1-30YLC,115

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN4R1-30YLC,115 PSMN4R1-30YLC,115 Виробник : NEXPERIA 3013303711542636psmn4r1-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 92A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-30YLC,115 Виробник : NEXPERIA PSMN4R1-30YLC.pdf PSMN4R1-30YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-30YLC,115 PSMN4R1-30YLC,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN4R1-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 92A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1502 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-30YLC,115 PSMN4R1-30YLC,115 Виробник : Nexperia PSMN4R1_30YLC-2939127.pdf MOSFETs PSMN4R1-30YLC/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.