Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN4R1-60YLX
PSMN4R1-60YLX

PSMN4R1-60YLX Nexperia USA Inc.

PSMN4R1-60YL.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7853 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R1-60YLX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN4R1-60YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 238W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm.

Інші пропозиції PSMN4R1-60YLX за ціною від 48.02 грн до 304.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YLX NEXPERIA PSMN4R1-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.90 грн
10+87.22 грн
25+77.99 грн
100+72.12 грн
250+69.61 грн
500+62.06 грн
1000+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YLX NEXPERIA NEXP-S-A0003107842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R1-60YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.18 грн
500+113.97 грн
1000+103.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN4R1-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7853 pF @ 25 V
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.63 грн
10+94.65 грн
100+64.21 грн
500+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YLX NEXPERIA NEXP-S-A0003107842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R1-60YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+304.00 грн
10+207.28 грн
100+157.69 грн
500+122.28 грн
1000+104.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YLX Nexperia PSMN4R1-60YL.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 60V 100A
на замовлення 29496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YL.pdf
PSMN4R1-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+112.90 грн
10+87.22 грн
25+77.99 грн
100+72.12 грн
250+69.61 грн
500+62.06 грн
1000+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX NEXP-S-A0003107842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN4R1-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R1-60YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+125.18 грн
500+113.97 грн
1000+103.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YL.pdf
PSMN4R1-60YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7853 pF @ 25 V
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.63 грн
10+94.65 грн
100+64.21 грн
500+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX NEXP-S-A0003107842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN4R1-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R1-60YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+304.00 грн
10+207.28 грн
100+157.69 грн
500+122.28 грн
1000+104.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YL.pdf
PSMN4R1-60YLX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 100A
на замовлення 29496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.