Продукція > NEXPERIA > PSMN4R2-30MLDX
PSMN4R2-30MLDX

PSMN4R2-30MLDX Nexperia

580522264533196psmn4r2-30mld.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4500+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R2-30MLDX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN4R2-30MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 65W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

Інші пропозиції PSMN4R2-30MLDX за ціною від 21.38 грн до 96.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLDX Nexperia 580522264533196psmn4r2-30mld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLDX Nexperia USA Inc. PSMN4R2-30MLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1795 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLDX Nexperia 580522264533196psmn4r2-30mld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+30.15 грн
1000+29.68 грн
1500+29.59 грн
3000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLDX NEXPERIA PSMN4R2-30MLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; Idm: 366A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 366A
Power dissipation: 65W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+34.59 грн
18+23.80 грн
100+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLDX Nexperia 580522264533196psmn4r2-30mld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 20470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
732+48.00 грн
1000+44.26 грн
10000+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 732 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLDX Nexperia 580522264533196psmn4r2-30mld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
732+48.00 грн
1000+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 732 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLDX Nexperia USA Inc. PSMN4R2-30MLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1795 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.99 грн
10+58.70 грн
100+38.85 грн
500+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLDX NEXPERIA NEXP-S-A0003059965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R2-30MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLDX Nexperia PSMN4R2-30MLD.pdf MOSFETs SOT1210 N-CH 30V 70A
на замовлення 15825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLDX NEXPERIA NEXP-S-A0003059965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R2-30MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX 580522264533196psmn4r2-30mld.pdf
PSMN4R2-30MLDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4500+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLD.pdf
PSMN4R2-30MLDX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1795 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX 580522264533196psmn4r2-30mld.pdf
PSMN4R2-30MLDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
305+30.15 грн
1000+29.68 грн
1500+29.59 грн
3000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLD.pdf
PSMN4R2-30MLDX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; Idm: 366A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 366A
Power dissipation: 65W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+34.59 грн
18+23.80 грн
100+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX 580522264533196psmn4r2-30mld.pdf
PSMN4R2-30MLDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 20470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
732+48.00 грн
1000+44.26 грн
10000+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 732 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX 580522264533196psmn4r2-30mld.pdf
PSMN4R2-30MLDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
732+48.00 грн
1000+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 732 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLD.pdf
PSMN4R2-30MLDX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1795 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.99 грн
10+58.70 грн
100+38.85 грн
500+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX NEXP-S-A0003059965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN4R2-30MLDX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R2-30MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLD.pdf
PSMN4R2-30MLDX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1210 N-CH 30V 70A
на замовлення 15825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX NEXP-S-A0003059965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN4R2-30MLDX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R2-30MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.