Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN4R2-40VSHX
PSMN4R2-40VSHX

PSMN4R2-40VSHX Nexperia USA Inc.

PSMN4R2-40VSH.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 85W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+55.75 грн
3000+50.03 грн
4500+48.17 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R2-40VSHX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN4R2-40VSHX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 98 A, 98 A, 0.0042 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 98A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 85W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 85W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції PSMN4R2-40VSHX за ціною від 57.21 грн до 178.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN4R2-40VSHX PSMN4R2-40VSHX Nexperia USA Inc. PSMN4R2-40VSH.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 85W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.58 грн
10+110.96 грн
100+75.94 грн
500+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-40VSHX PSMN4R2-40VSHX NEXPERIA PSMN4R2-40VSH.pdf Description: NEXPERIA - PSMN4R2-40VSHX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 98 A, 98 A, 0.0042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 85W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 85W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-40VSHX PSMN4R2-40VSHX Nexperia PSMN4R2-40VSH.pdf MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-40VSHX PSMN4R2-40VSHX NEXPERIA PSMN4R2-40VSH.pdf Description: NEXPERIA - PSMN4R2-40VSHX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 98 A, 98 A, 0.0042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 85W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 85W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-40VSHX PSMN4R2-40VSH.pdf
PSMN4R2-40VSHX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 85W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+178.58 грн
10+110.96 грн
100+75.94 грн
500+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-40VSHX PSMN4R2-40VSH.pdf
PSMN4R2-40VSHX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R2-40VSHX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 98 A, 98 A, 0.0042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 85W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 85W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-40VSHX PSMN4R2-40VSH.pdf
PSMN4R2-40VSHX
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-40VSHX PSMN4R2-40VSH.pdf
PSMN4R2-40VSHX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R2-40VSHX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 98 A, 98 A, 0.0042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 85W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 85W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.