PSMN4R2-40VSHX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R2-40VSHX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 98 A, 98 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 85W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 85W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 76.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN4R2-40VSHX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R2-40VSHX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 98 A, 98 A, 0.0035 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 98A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 85W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 85W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції PSMN4R2-40VSHX за ціною від 75.44 грн до 207.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN4R2-40VSHX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN4R2-40VSH - DUAL N-CHANNEL 4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 85W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN4R2-40VSHX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN4R2-40VSHX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 98 A, 98 A, 0.0035 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 98A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm Verlustleistung, p-Kanal: 85W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 85W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN4R2-40VSHX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN4R2-40VSH/SOT1205/LFPAK56D |
на замовлення 3565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN4R2-40VSHX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN4R2-40VSH - DUAL N-CHANNEL 4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 85W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active |
на замовлення 2462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PSMN4R2-40VSHX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 69.5A; 85W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: NextPowerS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 69.5A Pulsed drain current: 393A Power dissipation: 85W Case: LFPAK56D; SOT1205 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
PSMN4R2-40VSHX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 98A 8-Pin LFPAK-D T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PSMN4R2-40VSHX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 98A 8-Pin LFPAK-D T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMN4R2-40VSHX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 69.5A; 85W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: NextPowerS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 69.5A Pulsed drain current: 393A Power dissipation: 85W Case: LFPAK56D; SOT1205 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |