Продукція > NEXPERIA > PSMN4R2-80YSEX
PSMN4R2-80YSEX

PSMN4R2-80YSEX Nexperia


psmn4r2-80yse.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 170A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+76.57 грн
167+73.14 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R2-80YSEX Nexperia

Description: PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 294W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 40 V.

Інші пропозиції PSMN4R2-80YSEX за ціною від 86.49 грн до 265.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSEX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN4R2-80YSE.pdf Description: PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+87.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSEX Виробник : Nexperia PSMN4R2_80YSE-2580599.pdf MOSFETs PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 15960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.35 грн
10+169.64 грн
100+129.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSEX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN4R2-80YSE.pdf Description: PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 40 V
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.20 грн
10+152.59 грн
100+106.34 грн
500+86.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSEX Виробник : Nexperia psmn4r2-80yse.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 170A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+265.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEX Виробник : NEXPERIA PSMN4R2-80YSE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 123A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 698A
Mounting: SMD
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+198.41 грн
9+103.97 грн
24+98.62 грн
500+94.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEX Виробник : NEXPERIA PSMN4R2-80YSE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 123A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 698A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.10 грн
9+129.56 грн
24+118.34 грн
500+113.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSEX Виробник : NEXPERIA psmn4r2-80yse.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 170A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSEX Виробник : Nexperia psmn4r2-80yse.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 170A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.