Продукція > NEXPERIA > PSMN4R3-100ES,127

PSMN4R3-100ES,127 Nexperia

Виробник: Nexperia
MOSFET N-Ch 100V 4.3 m std level MOSFET

на замовлення 3787 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PSMN4R3-100ES,127 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 338W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V.

Інші пропозиції PSMN4R3-100ES,127

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
PSMN4R3-100ES,127	Виробник : NEXPERIA	Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PSMN4R3-100ES,127	Виробник : Nexperia	Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PSMN4R3-100ES,127	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 338W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PSMN4R3-100ES,127	Виробник : NXP USA Inc.	Description: TRANSISTOR >30MHZ Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 338W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.