PSMN4R3-30BL,118

PSMN4R3-30BL,118 Nexperia USA Inc.


PSMN4R3-30BL.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+55.72 грн
1600+ 43.71 грн
2400+ 41.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R3-30BL,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 103W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PSMN4R3-30BL,118 за ціною від 38.12 грн до 107.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN4R3-30BL,118 PSMN4R3-30BL,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN4R3-30BL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.27 грн
10+ 81.37 грн
100+ 63.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN4R3-30BL,118 PSMN4R3-30BL,118 Виробник : Nexperia PSMN4R3_30BL-2939108.pdf MOSFET PSMN4R3-30BL/SOT404/D2PAK
на замовлення 16386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.49 грн
10+ 86.76 грн
100+ 58.48 грн
500+ 47.47 грн
800+ 38.99 грн
2400+ 38.59 грн
4800+ 38.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN4R3-30BL,118 PSMN4R3-30BL,118 Виробник : NEXPERIA 3009237720866240psmn4r3-30bl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
PSMN4R3-30BL,118 Виробник : NEXPERIA PSMN4R3-30BL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 465A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 465A
Power dissipation: 103W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMN4R3-30BL,118 PSMN4R3-30BL,118 Виробник : Nexperia 3009237720866240psmn4r3-30bl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
PSMN4R3-30BL,118 Виробник : NEXPERIA PSMN4R3-30BL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 465A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 465A
Power dissipation: 103W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній