на замовлення 4081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 104.8 грн |
10+ | 88.11 грн |
100+ | 58.32 грн |
250+ | 58.12 грн |
500+ | 49.41 грн |
1000+ | 47.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN4R3-30PL,127 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 103W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 12 V.
Інші пропозиції PSMN4R3-30PL,127 за ціною від 46.73 грн до 114.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN4R3-30PL,127 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 103W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 12 V |
на замовлення 4725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PSMN4R3-30PL,127 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
PSMN4R3-30PL,127 Код товару: 192081 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
PSMN4R3-30PL,127 | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |
||||||||||||||||
PSMN4R3-30PL,127 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |
||||||||||||||||
PSMN4R3-30PL,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 465A; 103W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 465A Power dissipation: 103W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 41.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
PSMN4R3-30PL,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 465A; 103W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 465A Power dissipation: 103W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 41.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |