на замовлення 4081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.46 грн |
| 10+ | 102.12 грн |
| 100+ | 67.59 грн |
| 250+ | 67.36 грн |
| 500+ | 57.26 грн |
| 1000+ | 54.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN4R3-30PL,127 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 103W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 12 V.
Інші пропозиції PSMN4R3-30PL,127 за ціною від 83.18 грн до 195.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN4R3-30PL,127 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 103W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 12 V |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| PSMN4R3-30PL,127 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 8995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| PSMN4R3-30PL,127 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| PSMN4R3-30PL,127 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| PSMN4R3-30PL,127 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
|
PSMN4R3-30PL,127 Код товару: 192081
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
 |
PSMN4R3-30PL,127 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
PSMN4R3-30PL,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 465A; 103W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 465A Power dissipation: 103W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 41.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |