PSMN4R3-80ES,127 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN4R3-80ES,127 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: I2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції PSMN4R3-80ES,127
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN4R3-80ES,127 | Nexperia |
MOSFET N-Ch 80V 4.3 mOhms |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PSMN4R3-80ES,127 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFET N-Ch 80V 4.3 mOhms
MOSFET N-Ch 80V 4.3 mOhms
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)