на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 39.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN4R4-80BS,118 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 40 V.
Інші пропозиції PSMN4R4-80BS,118 за ціною від 43.54 грн до 315.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN4R4-80BS,118 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN4R4-80BS,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 40 V |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN4R4-80BS,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN4R4-80BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Pulsed drain current: 680A Power dissipation: 306W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 125nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 554 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN4R4-80BS,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs N-channel 30 V, 4.8 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology |
на замовлення 1833 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN4R4-80BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Pulsed drain current: 680A Power dissipation: 306W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 125nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 554 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN4R4-80BS,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 40 V |
на замовлення 6485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN4R4-80BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
PSMN4R4-80BS,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |