Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN4R4-80BS,118
PSMN4R4-80BS,118

PSMN4R4-80BS,118 Nexperia USA Inc.

PSMN4R4-80BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 40 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+117.20 грн
1600+111.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R4-80BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 40 V.

Інші пропозиції PSMN4R4-80BS,118 за ціною від 130.78 грн до 323.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS,118 Nexperia 3007008217449126psmn4r4-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+130.78 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS,118 Nexperia 3007008217449126psmn4r4-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS,118 NEXPERIA PSMN4R4-80BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 529 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+222.18 грн
5+187.86 грн
10+176.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS,118 Nexperia 3007008217449126psmn4r4-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+280.51 грн
500+266.37 грн
1000+251.05 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN4R4-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.72 грн
10+205.07 грн
50+159.27 грн
100+135.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS,118 Nexperia PSMN4R4-80BS.pdf MOSFETs PSMN4R4-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 3579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118 3007008217449126psmn4r4-80bs.pdf
PSMN4R4-80BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+130.78 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118 3007008217449126psmn4r4-80bs.pdf
PSMN4R4-80BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS.pdf
PSMN4R4-80BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 529 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+222.18 грн
5+187.86 грн
10+176.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118 3007008217449126psmn4r4-80bs.pdf
PSMN4R4-80BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
127+280.51 грн
500+266.37 грн
1000+251.05 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS.pdf
PSMN4R4-80BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+323.72 грн
10+205.07 грн
50+159.27 грн
100+135.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS.pdf
PSMN4R4-80BS,118
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN4R4-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 3579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.