Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN4R5-40BS,118
PSMN4R5-40BS,118

PSMN4R5-40BS,118 Nexperia USA Inc.

PSMN4R5-40BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+57.90 грн
1600+51.55 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R5-40BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN4R5-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3790 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 148W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3790µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN4R5-40BS,118 за ціною від 66.33 грн до 174.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40BS,118 Nexperia 3014123373946058psmn4r5-40bs.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40BS,118 Nexperia 3014123373946058psmn4r5-40bs.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+108.80 грн
500+81.94 грн
800+74.24 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40BS,118 Nexperia 3014123373946058psmn4r5-40bs.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.92 грн
500+147.66 грн
1000+139.39 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN4R5-40BS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.74 грн
10+108.07 грн
100+73.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40BS,118 Nexperia PSMN4R5-40BS.pdf MOSFETs PSMN4R5-40BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40BS,118 NEXPERIA PSMN4R5-40BS.pdf Description: NEXPERIA - PSMN4R5-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3790 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3790µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118 3014123373946058psmn4r5-40bs.pdf
PSMN4R5-40BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118 3014123373946058psmn4r5-40bs.pdf
PSMN4R5-40BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+108.80 грн
500+81.94 грн
800+74.24 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118 3014123373946058psmn4r5-40bs.pdf
PSMN4R5-40BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
228+155.92 грн
500+147.66 грн
1000+139.39 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40BS.pdf
PSMN4R5-40BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.74 грн
10+108.07 грн
100+73.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40BS.pdf
PSMN4R5-40BS,118
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN4R5-40BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40BS.pdf
PSMN4R5-40BS,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R5-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3790 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3790µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.