Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN4R5-80YSFX
PSMN4R5-80YSFX

PSMN4R5-80YSFX Nexperia USA Inc.

PSMN4R5-80YSF.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6009 pF @ 40 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+248.19 грн
10+155.38 грн
100+108.06 грн
500+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R5-80YSFX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN4R5-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 4500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 238W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm.

Інші пропозиції PSMN4R5-80YSFX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN4R5-80YSFX PSMN4R5-80YSFX Nexperia PSMN4R5-80YSF.pdf MOSFETs NextPower 80 V, 4.5 mOhm N-channel MOSFET in LFPAK56
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-80YSFX PSMN4R5-80YSFX NEXPERIA 4073622.pdf Description: NEXPERIA - PSMN4R5-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 4500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-80YSFX PSMN4R5-80YSF.pdf
PSMN4R5-80YSFX
Виробник: Nexperia
MOSFETs NextPower 80 V, 4.5 mOhm N-channel MOSFET in LFPAK56
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-80YSFX 4073622.pdf
PSMN4R5-80YSFX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R5-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 4500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.