Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN4R6-60BS,118
PSMN4R6-60BS,118

PSMN4R6-60BS,118 Nexperia USA Inc.

PSMN4R6-60BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4426 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+74.18 грн
2400+63.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R6-60BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN4R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 211W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3740µohm.

Інші пропозиції PSMN4R6-60BS,118 за ціною від 75.70 грн до 205.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+80.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.31 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+88.25 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+90.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+90.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+106.26 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+145.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.70 грн
10+125.20 грн
25+114.80 грн
100+98.43 грн
250+88.96 грн
500+80.55 грн
1000+75.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+151.70 грн
113+125.20 грн
124+114.80 грн
139+98.43 грн
250+88.96 грн
500+80.55 грн
1000+75.70 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 NEXPERIA PSMN4R6-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 565A
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+184.24 грн
10+128.31 грн
25+115.73 грн
100+107.35 грн
250+102.32 грн
500+92.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
500+186.22 грн
1000+176.79 грн
10000+160.25 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN4R6-60BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4426 pF @ 30 V
на замовлення 4420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.36 грн
10+128.01 грн
50+97.93 грн
100+82.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3740µohm
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+80.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
168+84.31 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+88.25 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+90.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+90.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+106.26 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+145.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+151.70 грн
10+125.20 грн
25+114.80 грн
100+98.43 грн
250+88.96 грн
500+80.55 грн
1000+75.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
94+151.70 грн
113+125.20 грн
124+114.80 грн
139+98.43 грн
250+88.96 грн
500+80.55 грн
1000+75.70 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 565A
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+184.24 грн
10+128.31 грн
25+115.73 грн
100+107.35 грн
250+102.32 грн
500+92.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
180+196.83 грн
500+186.22 грн
1000+176.79 грн
10000+160.25 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4426 pF @ 30 V
на замовлення 4420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+205.36 грн
10+128.01 грн
50+97.93 грн
100+82.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 NEXP-S-A0003059814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3740µohm
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.