Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN4R6-60BS,118
PSMN4R6-60BS,118

PSMN4R6-60BS,118 Nexperia USA Inc.

PSMN4R6-60BS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4426 pF @ 30 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+59.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R6-60BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN4R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00374 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 211W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00374ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN4R6-60BS,118 за ціною від 59.24 грн до 208.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Виробник : Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+65.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Виробник : Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
112+67.38 грн
250+67.12 грн
500+66.86 грн
1000+64.23 грн
3000+59.24 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Виробник : Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Виробник : NEXPERIA 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+69.44 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Виробник : Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+71.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Виробник : Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
168+72.56 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Виробник : Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
147+83.20 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Виробник : Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+124.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN4R6-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.55 грн
10+100.15 грн
11+86.39 грн
29+81.80 грн
50+80.27 грн
100+78.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN4R6-60BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4426 pF @ 30 V
на замовлення 9497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.31 грн
10+116.58 грн
100+79.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN4R6-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.86 грн
10+124.80 грн
11+103.66 грн
29+98.16 грн
50+96.33 грн
100+94.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Виробник : Nexperia PSMN4R6-60BS.pdf MOSFETs N-channel 100 V 4.8 mohm standard level MOSFET in D2PAK
на замовлення 6967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.79 грн
10+136.73 грн
100+82.93 грн
500+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00374 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00374ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+208.29 грн
10+144.90 грн
50+118.55 грн
100+85.62 грн
250+77.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Виробник : Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.