Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN4R6-60BS,118
PSMN4R6-60BS,118

PSMN4R6-60BS,118 Nexperia USA Inc.

PSMN4R6-60BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4426 pF @ 30 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+74.87 грн
2400+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R6-60BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN4R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 211W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3740µohm.

Інші пропозиції PSMN4R6-60BS,118 за ціною від 62.60 грн до 233.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+80.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.88 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+88.84 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+90.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+91.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+106.97 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+145.97 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+152.72 грн
10+126.03 грн
25+115.57 грн
100+99.09 грн
250+89.56 грн
500+81.09 грн
1000+76.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+152.72 грн
113+126.03 грн
124+115.57 грн
139+99.09 грн
250+89.56 грн
500+81.09 грн
1000+76.21 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 NEXPERIA PSMN4R6-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 565A
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.31 грн
10+126.27 грн
25+113.89 грн
100+105.64 грн
250+100.68 грн
500+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+198.15 грн
500+187.47 грн
1000+177.98 грн
10000+161.32 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN4R6-60BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4426 pF @ 30 V
на замовлення 9220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.05 грн
10+136.96 грн
50+104.74 грн
100+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia PSMN4R6-60BS.pdf MOSFETs PSMN4R6-60BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 5105 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+233.78 грн
10+116.06 грн
100+89.22 грн
500+69.84 грн
800+62.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3740µohm
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+80.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
168+84.88 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+88.84 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+90.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+91.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+106.97 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+145.97 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+152.72 грн
10+126.03 грн
25+115.57 грн
100+99.09 грн
250+89.56 грн
500+81.09 грн
1000+76.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
94+152.72 грн
113+126.03 грн
124+115.57 грн
139+99.09 грн
250+89.56 грн
500+81.09 грн
1000+76.21 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 565A
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+181.31 грн
10+126.27 грн
25+113.89 грн
100+105.64 грн
250+100.68 грн
500+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
180+198.15 грн
500+187.47 грн
1000+177.98 грн
10000+161.32 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4426 pF @ 30 V
на замовлення 9220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+219.05 грн
10+136.96 грн
50+104.74 грн
100+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN4R6-60BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 5105 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+233.78 грн
10+116.06 грн
100+89.22 грн
500+69.84 грн
800+62.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 NEXP-S-A0003059814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3740µohm
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.