Продукція > NEXPERIA > PSMN4R6-60BS,118
PSMN4R6-60BS,118

PSMN4R6-60BS,118 Nexperia

3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3200+101.92 грн
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R6-60BS,118 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN4R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 211W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3740µohm.

Інші пропозиції PSMN4R6-60BS,118 за ціною від 58.80 грн до 278.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3200+102.17 грн
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+123.94 грн
100+102.08 грн
250+99.63 грн
500+90.62 грн
1000+78.86 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.94 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 NEXPERIA PSMN4R6-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 691 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+184.24 грн
10+128.31 грн
25+115.73 грн
100+107.35 грн
250+102.32 грн
500+92.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
500+186.22 грн
1000+176.79 грн
10000+160.25 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN4R6-60BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4426 pF @ 30 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.79 грн
10+127.11 грн
100+87.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Nexperia PSMN4R6-60BS.pdf MOSFETs PSMN4R6-60BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.78 грн
10+137.01 грн
100+82.21 грн
500+62.91 грн
800+58.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3740µohm
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.81 грн
10+191.02 грн
50+175.57 грн
100+134.35 грн
250+112.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3200+102.17 грн
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+123.94 грн
100+102.08 грн
250+99.63 грн
500+90.62 грн
1000+78.86 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
115+123.94 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 691 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+184.24 грн
10+128.31 грн
25+115.73 грн
100+107.35 грн
250+102.32 грн
500+92.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 3012894965290941psmn4r6-60bs.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
180+196.83 грн
500+186.22 грн
1000+176.79 грн
10000+160.25 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4426 pF @ 30 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+203.79 грн
10+127.11 грн
100+87.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN4R6-60BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+213.78 грн
10+137.01 грн
100+82.21 грн
500+62.91 грн
800+58.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 NEXP-S-A0003059814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3740µohm
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+278.81 грн
10+191.02 грн
50+175.57 грн
100+134.35 грн
250+112.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.