Продукція > NEXPERIA > PSMN4R8-100BSEJ
PSMN4R8-100BSEJ

PSMN4R8-100BSEJ Nexperia

4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+139.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R8-100BSEJ Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN4R8-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 405W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN4R8-100BSEJ за ціною від 139.29 грн до 376.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+139.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia USA Inc. PSMN4R8-100BSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+143.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+160.56 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+183.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+184.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+188.06 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+189.00 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+205.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.82 грн
10+212.72 грн
25+210.64 грн
100+180.70 грн
250+160.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+236.82 грн
67+212.72 грн
68+210.64 грн
100+180.70 грн
250+160.99 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+244.76 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia USA Inc. PSMN4R8-100BSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.67 грн
10+240.89 грн
50+188.33 грн
100+160.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia PSMN4R8-100BSE.pdf MOSFETs TO263 100V 120A N-CH MOSFET
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ NEXPERIA NEXP-S-A0003060200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R8-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+139.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSE.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+143.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+160.56 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+183.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+184.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+188.06 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
188+189.00 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+205.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+236.82 грн
10+212.72 грн
25+210.64 грн
100+180.70 грн
250+160.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+236.82 грн
67+212.72 грн
68+210.64 грн
100+180.70 грн
250+160.99 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+244.76 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSE.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+376.67 грн
10+240.89 грн
50+188.33 грн
100+160.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSE.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
MOSFETs TO263 100V 120A N-CH MOSFET
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ NEXP-S-A0003060200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R8-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.