Продукція > NEXPERIA > PSMN4R8-100BSEJ

PSMN4R8-100BSEJ Nexperia

Name: PSMN4R8-100BSEJ
Brand: Nexperia
SKU: 856126-5
Price: 100424 UAH
Availability: InStock

Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	125.53 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PSMN4R8-100BSEJ Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN4R8-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0041 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 405W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN4R8-100BSEJ за ціною від 121.10 грн до 337.71 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

PSMN4R8-100BSEJ

Виробник : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V

на замовлення 6840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	127.77 грн
1600+	121.10 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

PSMN4R8-100BSEJ

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	135.19 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

PSMN4R8-100BSEJ

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	138.20 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

PSMN4R8-100BSEJ

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	143.32 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

PSMN4R8-100BSEJ

Виробник : NEXPERIA

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	145.85 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

PSMN4R8-100BSEJ

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	152.68 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

PSMN4R8-100BSEJ

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
188+	162.68 грн

Мінімальне замовлення: 188

В кошику од. на суму грн.

PSMN4R8-100BSEJ

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	187.69 грн
10+	166.09 грн
25+	165.26 грн
100+	140.35 грн
250+	128.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PSMN4R8-100BSEJ

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
61+	202.13 грн
69+	177.97 грн
100+	151.14 грн
250+	138.57 грн

Мінімальне замовлення: 61

В кошику од. на суму грн.

PSMN4R8-100BSEJ

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
58+	210.67 грн

Мінімальне замовлення: 58

В кошику од. на суму грн.

PSMN4R8-100BSEJ

Виробник : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V

на замовлення 7252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	227.80 грн
10+	179.37 грн
100+	150.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PSMN4R8-100BSEJ

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	231.85 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

PSMN4R8-100BSEJ

Виробник : NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN4R8-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0041 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 20499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	289.67 грн
10+	207.02 грн
100+	171.96 грн
500+	136.43 грн
1000+	123.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PSMN4R8-100BSEJ

Виробник : Nexperia

MOSFETs PSMN4R8-100BSE/SOT404/D2PAK

на замовлення 13594 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	337.71 грн
10+	241.32 грн
100+	157.76 грн
250+	157.01 грн
800+	129.48 грн
2400+	128.74 грн
4800+	127.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PSMN4R8-100BSEJ

Виробник : NEXPERIA

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780815D2565E7A259&compId=PSMN4R8-100BSE.pdf?ci_sign=3fb82daffe14b70cb909ddfa8d5c544863f9d5e0

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 405W; D2PAK,SOT404
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 405W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 278nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PSMN4R8-100BSEJ

Виробник : NEXPERIA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.