Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN4R8-100BSEJ
PSMN4R8-100BSEJ

PSMN4R8-100BSEJ Nexperia USA Inc.

PSMN4R8-100BSE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+136.25 грн
2400+119.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R8-100BSEJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN4R8-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 405W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm.

Інші пропозиції PSMN4R8-100BSEJ за ціною від 127.98 грн до 383.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+139.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+161.27 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+185.06 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+188.90 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+189.84 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+198.02 грн
2400+188.01 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+198.41 грн
2400+188.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+206.51 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+224.12 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.87 грн
10+213.66 грн
25+211.58 грн
100+181.50 грн
250+161.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+237.87 грн
67+213.66 грн
68+211.58 грн
100+181.50 грн
250+161.70 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+245.84 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia USA Inc. PSMN4R8-100BSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
на замовлення 14434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.55 грн
10+220.67 грн
50+172.48 грн
100+147.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia PSMN4R8-100BSE.pdf MOSFETs PSMN4R8-100BSE/SOT404/D2PAK
на замовлення 22571 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+383.95 грн
10+196.80 грн
100+155.04 грн
500+130.18 грн
800+127.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ NEXPERIA PSMN4R8-100BSE.pdf Description: NEXPERIA - PSMN4R8-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 405W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 14229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+139.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+161.27 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+185.06 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+188.90 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
188+189.84 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+198.02 грн
2400+188.01 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+198.41 грн
2400+188.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+206.51 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+224.12 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+237.87 грн
10+213.66 грн
25+211.58 грн
100+181.50 грн
250+161.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+237.87 грн
67+213.66 грн
68+211.58 грн
100+181.50 грн
250+161.70 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+245.84 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSE.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
на замовлення 14434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+345.55 грн
10+220.67 грн
50+172.48 грн
100+147.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSE.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN4R8-100BSE/SOT404/D2PAK
на замовлення 22571 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+383.95 грн
10+196.80 грн
100+155.04 грн
500+130.18 грн
800+127.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSE.pdf
PSMN4R8-100BSEJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R8-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 405W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 14229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.