Продукція > NEXPERIA > PSMN4R8-100PSEQ
PSMN4R8-100PSEQ

PSMN4R8-100PSEQ Nexperia

4376740606601408psmn4r8-100pse.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
134+228.22 грн
500+218.07 грн
1000+205.90 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R8-100PSEQ Nexperia

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 405W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V.

Інші пропозиції PSMN4R8-100PSEQ за ціною від 205.90 грн до 228.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN4R8-100PSEQ PSMN4R8-100PSEQ Виробник : Nexperia 4376740606601408psmn4r8-100pse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
134+228.22 грн
500+218.07 грн
1000+205.90 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100PSEQ PSMN4R8-100PSEQ Виробник : NEXPERIA 4376740606601408psmn4r8-100pse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100PSEQ Виробник : NEXPERIA PSMN4R8-100PSE.pdf PSMN4R8-100PSEQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100PSEQ PSMN4R8-100PSEQ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN4R8-100PSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100PSEQ PSMN4R8-100PSEQ Виробник : Nexperia PSMN4R8_100PSE-2939040.pdf MOSFET PSMN4R8-100PSE/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.