PSMN4R8-100YSEX Nexperia USA Inc.


PSMN4R8-100YSE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+90.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R8-100YSEX Nexperia USA Inc.

Description: PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 294W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 50 V.

Інші пропозиції PSMN4R8-100YSEX за ціною від 86.30 грн до 258.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PSMN4R8-100YSEX PSMN4R8-100YSEX Nexperia PSMN4R8-100YSE.pdf MOSFETs SOT1023 100V 120A N-CH
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.58 грн
10+156.59 грн
100+101.25 грн
500+90.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEX PSMN4R8-100YSEX Nexperia USA Inc. PSMN4R8-100YSE.pdf Description: PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 50 V
на замовлення 7289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.45 грн
10+162.03 грн
100+112.93 грн
500+86.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEX PSMN4R8-100YSE.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1023 100V 120A N-CH
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+243.58 грн
10+156.59 грн
100+101.25 грн
500+90.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEX PSMN4R8-100YSE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 50 V
на замовлення 7289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+258.45 грн
10+162.03 грн
100+112.93 грн
500+86.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.