Продукція > NEXPERIA > PSMN5R0-40MSHX

PSMN5R0-40MSHX Nexperia

Name: PSMN5R0-40MSHX
Brand: Nexperia
SKU: 4448397-4
Price: 358.54999999999995 UAH
Availability: InStock

Виробник: Nexperia
MOSFETs N-channel 80 V, 5.1 mâ„¦ standard level MOSFET in D2PAK

на замовлення 2189 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	71.71 грн
10+	59.08 грн
100+	38.97 грн
250+	38.90 грн
500+	33.11 грн
1000+	26.95 грн
1500+	26.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PSMN5R0-40MSHX Nexperia

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 62A; Idm: 349A, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 62A, Pulsed drain current: 349A, Power dissipation: 83W, Case: LFPAK33; SOT1210, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 10.9mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 29nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Technology: NextPowerS3, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції PSMN5R0-40MSHX

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
PSMN5R0-40MSHX	Виробник : NEXPERIA	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 62A; Idm: 349A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 62A Pulsed drain current: 349A Power dissipation: 83W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PSMN5R0-40MSHX	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PSMN5R0-40MSHX	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PSMN5R0-40MSHX	Виробник : NEXPERIA	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 62A; Idm: 349A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 62A Pulsed drain current: 349A Power dissipation: 83W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.