Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN5R0-80BS,118
PSMN5R0-80BS,118

PSMN5R0-80BS,118 Nexperia USA Inc.

PSMN5R0-80BS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6793 pF @ 40 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+83.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN5R0-80BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 270W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6793 pF @ 40 V.

Інші пропозиції PSMN5R0-80BS,118 за ціною від 76.33 грн до 197.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN5R0-80BS,118 PSMN5R0-80BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN5R0-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6793 pF @ 40 V
на замовлення 4213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.07 грн
10+138.45 грн
100+104.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80BS,118 PSMN5R0-80BS,118 Виробник : Nexperia PSMN5R0-80BS.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 5.2 mohm logic level MOSFET in LFPAK56
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.79 грн
10+162.05 грн
100+105.68 грн
500+95.41 грн
800+80.00 грн
2400+78.53 грн
4800+76.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN5R0-80BS.pdf PSMN5R0-80BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.