на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 34.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN5R2-60YLX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN5R2-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.004 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 195W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PSMN5R2-60YLX за ціною від 35.25 грн до 167.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN5R2-60YLX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN5R2-60YLX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6319 pF @ 25 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN5R2-60YLX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN5R2-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.004 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 195W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 4812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN5R2-60YLX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 100A |
на замовлення 60413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN5R2-60YLX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN5R2-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 195W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 4804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN5R2-60YLX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6319 pF @ 25 V |
на замовлення 2394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN5R2-60YLX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
PSMN5R2-60YLX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| PSMN5R2-60YLX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 479A; 195W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 479A Power dissipation: 195W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |