Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN5R3-25MLDX
PSMN5R3-25MLDX

PSMN5R3-25MLDX Nexperia USA Inc.

PSMN5R3-25MLD.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 858 pF @ 12 V
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.34 грн
10+40.68 грн
100+26.47 грн
500+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN5R3-25MLDX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN5R3-25MLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 70 A, 0.00525 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00525ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN5R3-25MLDX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN5R3-25MLDX PSMN5R3-25MLDX NEXPERIA PSMN5R3-25MLD.pdf Description: NEXPERIA - PSMN5R3-25MLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 70 A, 0.00525 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00525ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R3-25MLDX PSMN5R3-25MLDX NEXPERIA PSMN5R3-25MLD.pdf Description: NEXPERIA - PSMN5R3-25MLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 70 A, 0.00525 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00525ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R3-25MLDX PSMN5R3-25MLD.pdf
PSMN5R3-25MLDX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R3-25MLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 70 A, 0.00525 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00525ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R3-25MLDX PSMN5R3-25MLD.pdf
PSMN5R3-25MLDX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R3-25MLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 70 A, 0.00525 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00525ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.