Продукція > NEXPERIA > PSMN5R5-100YSFX
PSMN5R5-100YSFX

PSMN5R5-100YSFX NEXPERIA

3791087.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R5-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 115 A, 4500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+154.64 грн
500+119.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN5R5-100YSFX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN5R5-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 115 A, 4500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 238W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm.

Інші пропозиції PSMN5R5-100YSFX за ціною від 82.84 грн до 310.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN5R5-100YSFX PSMN5R5-100YSFX Nexperia USA Inc. PSMN5R5-100YSF.pdf Description: PSMN5R5-100YSF/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6238 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.86 грн
10+101.26 грн
100+90.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-100YSFX PSMN5R5-100YSFX Nexperia PSMN5R5-100YSF.pdf MOSFETs SOT669 100V 115A
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.34 грн
10+167.51 грн
100+101.48 грн
500+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-100YSFX PSMN5R5-100YSFX NEXPERIA 3791087.pdf Description: NEXPERIA - PSMN5R5-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 115 A, 4500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.88 грн
10+203.77 грн
100+154.64 грн
500+119.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-100YSFX PSMN5R5-100YSF.pdf
PSMN5R5-100YSFX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN5R5-100YSF/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6238 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.86 грн
10+101.26 грн
100+90.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-100YSFX PSMN5R5-100YSF.pdf
PSMN5R5-100YSFX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 100V 115A
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+259.34 грн
10+167.51 грн
100+101.48 грн
500+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-100YSFX 3791087.pdf
PSMN5R5-100YSFX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R5-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 115 A, 4500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+310.88 грн
10+203.77 грн
100+154.64 грн
500+119.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.