Продукція > NEXPERIA > PSMN5R5-100YSFX
PSMN5R5-100YSFX

PSMN5R5-100YSFX Nexperia

psmn5r5-100ysf.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 115A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
206+151.66 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN5R5-100YSFX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN5R5-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 115 A, 4500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN5R5-100YSFX за ціною від 62.45 грн до 301.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN5R5-100YSFX PSMN5R5-100YSFX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN5R5-100YSF.pdf Description: PSMN5R5-100YSF/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6238 pF @ 50 V
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.03 грн
10+108.48 грн
100+97.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-100YSFX PSMN5R5-100YSFX Виробник : NEXPERIA 3791087.pdf Description: NEXPERIA - PSMN5R5-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 115 A, 4500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+193.27 грн
500+178.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-100YSFX PSMN5R5-100YSFX Виробник : Nexperia PSMN5R5-100YSF.pdf MOSFETs SOT669 100V 115A
на замовлення 2046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.40 грн
10+163.63 грн
50+105.37 грн
100+94.60 грн
1500+68.76 грн
3000+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-100YSFX PSMN5R5-100YSFX Виробник : NEXPERIA 3791087.pdf Description: NEXPERIA - PSMN5R5-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 115 A, 4500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+301.11 грн
10+217.42 грн
100+193.27 грн
500+178.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-100YSFX Виробник : NEXPERIA psmn5r5-100ysf.pdf Next Power 100 V, 5.5 mOhm N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-100YSFX PSMN5R5-100YSFX Виробник : Nexperia psmn5r5-100ysf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 115A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-100YSFX PSMN5R5-100YSFX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN5R5-100YSF.pdf Description: PSMN5R5-100YSF/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6238 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.