PSMN5R5-60YS,115
Код товару: 111161
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції PSMN5R5-60YS,115 за ціною від 20.79 грн до 161.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 6720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN5R5-60YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W Mounting: SMD Power dissipation: 130W Gate charge: 56nC Polarisation: unipolar Drain current: 74A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 8.3mΩ |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN5R5-60YS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 5200 µohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 130W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm |
на замовлення 8335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
MOSFETs PSMN5R5-60YS/SOT669/LFPAK |
на замовлення 10275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
PSMN5R5-60YS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0036 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 108 шт В кошику од. на суму грн. |
| PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 22.29 грн |
| 35+ | 21.92 грн |
| 100+ | 20.79 грн |
| PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 46.58 грн |
| PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 50.32 грн |
| PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 55.05 грн |
| PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 59.28 грн |
| PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 59.39 грн |
| PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 61.90 грн |
| PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 66.04 грн |
| PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 96.13 грн |
| PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 134+ | 106.45 грн |
| 140+ | 101.69 грн |
| 250+ | 97.62 грн |
| 500+ | 90.73 грн |
| 1000+ | 81.27 грн |
| 2500+ | 75.71 грн |
| 5000+ | 73.68 грн |
| PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 113.91 грн |
| PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 153.77 грн |
| 10+ | 94.90 грн |
| 100+ | 64.32 грн |
| 500+ | 48.06 грн |
| PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Mounting: SMD
Power dissipation: 130W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 74A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 8.3mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Mounting: SMD
Power dissipation: 130W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 74A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 8.3mΩ
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 161.08 грн |
| 10+ | 112.18 грн |
| 100+ | 100.55 грн |
| PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 5200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 5200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 8335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN5R5-60YS/SOT669/LFPAK
MOSFETs PSMN5R5-60YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 10275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0036 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0036 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






