Продукція > NEXPERIA > PSMN5R5-60YS,115
PSMN5R5-60YS,115

PSMN5R5-60YS,115 Nexperia


4380975533446664psmn5r5-60ys.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN5R5-60YS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 5200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN5R5-60YS,115 за ціною від 36.22 грн до 346.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Виробник : Nexperia 4380975533446664psmn5r5-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+49.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Виробник : Nexperia 4380975533446664psmn5r5-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
108+54.67 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Виробник : Nexperia 4380975533446664psmn5r5-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Виробник : Nexperia 4380975533446664psmn5r5-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+59.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Виробник : Nexperia 4380975533446664psmn5r5-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+64.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Виробник : Nexperia 4380975533446664psmn5r5-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+87.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Виробник : Nexperia 4380975533446664psmn5r5-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
134+96.49 грн
140+92.17 грн
250+88.48 грн
500+82.24 грн
1000+73.66 грн
2500+68.62 грн
5000+66.78 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Виробник : Nexperia 4380975533446664psmn5r5-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+103.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0036 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+109.64 грн
200+78.03 грн
500+59.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Виробник : Nexperia PSMN5R5-60YS.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 60V 100A
на замовлення 36567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.05 грн
10+86.78 грн
100+48.71 грн
500+45.69 грн
1000+39.58 грн
1500+38.21 грн
3000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN5R5-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.49 грн
10+137.41 грн
50+104.83 грн
100+88.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115
Код товару: 111161
Додати до обраних Обраний товар

PSMN5R5-60YS.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 5200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+346.54 грн
10+224.89 грн
50+172.07 грн
200+142.69 грн
500+128.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Виробник : Nexperia 4380975533446664psmn5r5-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Виробник : Nexperia 4380975533446664psmn5r5-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Виробник : Nexperia 4380975533446664psmn5r5-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN5R5-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.