PSMN5R5-60YS,115


PSMN5R5-60YS.pdf
Код товару: 111161
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції PSMN5R5-60YS,115 за ціною від 20.75 грн до 241.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Nexperia 4380975533446664psmn5r5-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.24 грн
35+21.88 грн
100+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN5R5-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Nexperia 4380975533446664psmn5r5-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+72.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Nexperia 4380975533446664psmn5r5-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN5R5-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.33 грн
10+92.60 грн
100+62.73 грн
500+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 NEXPERIA PSMN5R5-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.72 грн
10+111.93 грн
100+100.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 5200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 8335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.08 грн
10+155.10 грн
50+126.97 грн
200+81.34 грн
500+68.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Nexperia PSMN5R5-60YS.pdf MOSFETs PSMN5R5-60YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 7618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Nexperia 4380975533446664psmn5r5-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 4380975533446664psmn5r5-60ys.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+22.24 грн
35+21.88 грн
100+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 4380975533446664psmn5r5-60ys.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+72.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 4380975533446664psmn5r5-60ys.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.33 грн
10+92.60 грн
100+62.73 грн
500+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+160.72 грн
10+111.93 грн
100+100.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 NEXP-S-A0003059601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 5200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 8335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+241.08 грн
10+155.10 грн
50+126.97 грн
200+81.34 грн
500+68.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN5R5-60YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 7618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 4380975533446664psmn5r5-60ys.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.