Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN5R6-60YLX
PSMN5R6-60YLX

PSMN5R6-60YLX Nexperia USA Inc.

PSMN5R6-60YL.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+32.36 грн
4500+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN5R6-60YLX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN5R6-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 167W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm.

Інші пропозиції PSMN5R6-60YLX за ціною від 30.20 грн до 122.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX Nexperia 4386842177901955psmn5r6-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX Nexperia 4386842177901955psmn5r6-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX Nexperia 4386842177901955psmn5r6-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 26090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
738+48.28 грн
1000+44.52 грн
10000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN5R6-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.61 грн
10+68.70 грн
50+51.35 грн
100+42.94 грн
500+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX Nexperia 4386842177901955psmn5r6-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+119.38 грн
3000+71.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX Nexperia 4386842177901955psmn5r6-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+119.59 грн
3000+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX Nexperia PSMN5R6-60YL.pdf MOSFETs PSMN5R6-60YL/SOT669/LFPAK
на замовлення 33100 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+122.01 грн
10+57.02 грн
100+44.17 грн
500+34.66 грн
1000+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX NEXPERIA PSMN5R6-60YL.pdf Description: NEXPERIA - PSMN5R6-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX NEXPERIA PSMN5R6-60YL.pdf Description: NEXPERIA - PSMN5R6-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX 4386842177901955psmn5r6-60yl.pdf
PSMN5R6-60YLX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX 4386842177901955psmn5r6-60yl.pdf
PSMN5R6-60YLX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX 4386842177901955psmn5r6-60yl.pdf
PSMN5R6-60YLX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 26090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
738+48.28 грн
1000+44.52 грн
10000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YL.pdf
PSMN5R6-60YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.61 грн
10+68.70 грн
50+51.35 грн
100+42.94 грн
500+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX 4386842177901955psmn5r6-60yl.pdf
PSMN5R6-60YLX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+119.38 грн
3000+71.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX 4386842177901955psmn5r6-60yl.pdf
PSMN5R6-60YLX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+119.59 грн
3000+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YL.pdf
PSMN5R6-60YLX
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN5R6-60YL/SOT669/LFPAK
на замовлення 33100 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.01 грн
10+57.02 грн
100+44.17 грн
500+34.66 грн
1000+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YL.pdf
PSMN5R6-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R6-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YL.pdf
PSMN5R6-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R6-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.