PSMN5R8-40YS,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1703 pF @ 20 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 33.83 грн |
| 3000+ | 32.08 грн |
| 4500+ | 31.78 грн |
| 7500+ | 28.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN5R8-40YS,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN5R8-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN5R8-40YS,115 за ціною від 28.91 грн до 96.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN5R8-40YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN5R8-40YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN5R8-40YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN5R8-40YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN5R8-40YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN5R8-40YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 90A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1703 pF @ 20 V |
на замовлення 8735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN5R8-40YS,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 90A |
на замовлення 23873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN5R8-40YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN5R8-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN5R8-40YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PSMN5R8-40YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; Idm: 360A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 90A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 89W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
PSMN5R8-40YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PSMN5R8-40YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; Idm: 360A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 90A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 89W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |