PSMN5R8-40YS,115 транзистор


Код товару: 215646
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції PSMN5R8-40YS,115 транзистор за ціною від 28.91 грн до 180.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R8-40YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN5R8-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 90A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1703 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.04 грн
3000+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R8-40YS,115 NEXPERIA PSMN5R8-40YS.pdf Description: NEXPERIA - PSMN5R8-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.13 грн
200+71.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R8-40YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN5R8-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 90A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1703 pF @ 20 V
на замовлення 3021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.76 грн
10+74.21 грн
100+49.68 грн
500+36.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R8-40YS,115 Nexperia PSMN5R8-40YS.pdf MOSFETs PSMN5R8-40YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 20749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.09 грн
10+79.42 грн
100+46.02 грн
500+36.24 грн
1000+30.93 грн
1500+29.47 грн
3000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R8-40YS,115 NEXPERIA PSMN5R8-40YS.pdf Description: NEXPERIA - PSMN5R8-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.04 грн
10+115.68 грн
50+96.13 грн
200+71.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R8-40YS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 90A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1703 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+33.04 грн
3000+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R8-40YS.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R8-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+96.13 грн
200+71.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R8-40YS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 90A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1703 pF @ 20 V
на замовлення 3021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+121.76 грн
10+74.21 грн
100+49.68 грн
500+36.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R8-40YS.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN5R8-40YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 20749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+127.09 грн
10+79.42 грн
100+46.02 грн
500+36.24 грн
1000+30.93 грн
1500+29.47 грн
3000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R8-40YS.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R8-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+180.04 грн
10+115.68 грн
50+96.13 грн
200+71.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.