Продукція > NEXPERIA > PSMN6R0-25YLDX
PSMN6R0-25YLDX

PSMN6R0-25YLDX Nexperia

PSMN6R0-25YLD.pdf Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 25V 61A
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.77 грн
10+45.34 грн
100+26.26 грн
500+20.59 грн
1000+19.60 грн
1500+12.48 грн
3000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN6R0-25YLDX Nexperia

Description: MOSFET N-CH 25V 61A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12 V.

Інші пропозиції PSMN6R0-25YLDX за ціною від 32.01 грн до 38.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN6R0-25YLDX Виробник : NXP Semiconductors PSMN6R0-25YLD.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 33585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
797+38.94 грн
1000+35.91 грн
10000+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 797
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-25YLDX PSMN6R0-25YLDX Виробник : Nexperia 322234935647373psmn6r0-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-25YLDX PSMN6R0-25YLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN6R0-25YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 61A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-25YLDX PSMN6R0-25YLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN6R0-25YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 61A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.