Продукція > NEXPERIA > PSMN6R0-30YLDX
PSMN6R0-30YLDX

PSMN6R0-30YLDX Nexperia

PSMN6R0_30YLD-2938884.pdf Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN6R0-30YLD/SOT669/LFPAK
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.35 грн
10+47.19 грн
100+28.50 грн
500+22.67 грн
1000+18.52 грн
1500+16.21 грн
3000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN6R0-30YLDX Nexperia

Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 47W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PSMN6R0-30YLDX за ціною від 37.31 грн до 100.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN6R0-30YLDX PSMN6R0-30YLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN6R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.18 грн
10+60.46 грн
50+44.84 грн
100+37.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YLDX PSMN6R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA 1729091566494771psmn6r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 66A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YLDX PSMN6R0-30YLDX Виробник : Nexperia 1729091566494771psmn6r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 66A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YLDX PSMN6R0-30YLDX Виробник : Nexperia 1729091566494771psmn6r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 66A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YLDX PSMN6R0-30YLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN6R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.