Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN6R0-30YLDX
PSMN6R0-30YLDX

PSMN6R0-30YLDX Nexperia USA Inc.

PSMN6R0-30YLD.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+14.85 грн
3000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN6R0-30YLDX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 47W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-100, SOT-669, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PSMN6R0-30YLDX за ціною від 15.80 грн до 57.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN6R0-30YLDX PSMN6R0-30YLDX Nexperia USA Inc. PSMN6R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.73 грн
10+34.17 грн
100+22.06 грн
500+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YLDX PSMN6R0-30YLDX Nexperia PSMN6R0-30YLD.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 30V 66A
на замовлення 5353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YLDX PSMN6R0-30YLD.pdf
PSMN6R0-30YLDX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.73 грн
10+34.17 грн
100+22.06 грн
500+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R0-30YLDX PSMN6R0-30YLD.pdf
PSMN6R0-30YLDX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 66A
на замовлення 5353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.