Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN6R1-25MLDX
PSMN6R1-25MLDX

PSMN6R1-25MLDX Nexperia USA Inc.

PSMN6R1-25MLD.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 60A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.24mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 12 V
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.25 грн
10+39.22 грн
100+25.55 грн
500+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN6R1-25MLDX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 25V 60A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.24mOhm @ 15A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 12 V.

Інші пропозиції PSMN6R1-25MLDX за ціною від 12.09 грн до 66.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN6R1-25MLDX PSMN6R1-25MLDX Виробник : Nexperia PSMN6R1-25MLD.pdf MOSFETs SOT1210 N-CH 25V 60A
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.61 грн
10+40.58 грн
100+23.48 грн
500+18.10 грн
1500+14.40 грн
3000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-25MLDX PSMN6R1-25MLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN6R1-25MLD.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.24mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-25MLDX Виробник : NEXPERIA PSMN6R1-25MLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 235A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 235A
Power dissipation: 42W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.