PSMN6R1-30YLDX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 817 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 22.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN6R1-30YLDX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN6R1-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 66 A, 0.00505 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 47W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00505ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PSMN6R1-30YLDX за ціною від 23.38 грн до 83.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN6R1-30YLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 817 pF @ 15 V |
на замовлення 2348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PSMN6R1-30YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN6R1-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 66 A, 0.00505 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V euEccn: NLR Verlustleistung: 47W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00505ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PSMN6R1-30YLDX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN6R1-30YLD/SOT669/LFPAK |
на замовлення 7401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||
 |
PSMN6R1-30YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 66A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| PSMN6R1-30YLDX | Виробник : NEXPERIA |
PSMN6R1-30YLDX SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |