
PSMN6R1-40HLX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN6R1-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.006 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.006ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.006ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 83.35 грн |
500+ | 62.92 грн |
1000+ | 57.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN6R1-40HLX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN6R1-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.006 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.006ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.006ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PSMN6R1-40HLX за ціною від 37.67 грн до 160.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMN6R1-40HLX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2642 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN6R1-40HLX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D |
на замовлення 836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN6R1-40HLX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.006ohm Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.006ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN6R1-40HLX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D |
товару немає в наявності |