Продукція > NEXPERIA > PSMN6R1-40HLX
PSMN6R1-40HLX

PSMN6R1-40HLX Nexperia

psmn6r1-40hl.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
239+148.51 грн
500+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 239 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN6R1-40HLX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN6R1-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0072 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0072ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції PSMN6R1-40HLX за ціною від 53.18 грн до 148.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN6R1-40HLX PSMN6R1-40HLX Nexperia USA Inc. PSMN6R1-40HL.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+97.07 грн
100+69.12 грн
500+53.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-40HLX PSMN6R1-40HLX Nexperia PSMN6R1-40HL.pdf MOSFETs PSMN6R1-40HL/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 13470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-40HLX PSMN6R1-40HLX NEXPERIA PSMN6R1-40HL.pdf Description: NEXPERIA - PSMN6R1-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0072 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0072ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-40HLX PSMN6R1-40HLX NEXPERIA PSMN6R1-40HL.pdf Description: NEXPERIA - PSMN6R1-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0072 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0072ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-40HLX PSMN6R1-40HL.pdf
PSMN6R1-40HLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.92 грн
10+97.07 грн
100+69.12 грн
500+53.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-40HLX PSMN6R1-40HL.pdf
PSMN6R1-40HLX
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN6R1-40HL/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 13470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-40HLX PSMN6R1-40HL.pdf
PSMN6R1-40HLX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN6R1-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0072 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0072ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R1-40HLX PSMN6R1-40HL.pdf
PSMN6R1-40HLX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN6R1-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0072 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0072ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.