PSMN6R3-120PS Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11384 pF @ 60 V
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 141+ | 162.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN6R3-120PS Nexperia USA Inc.
Description: PSMN6R3-120PS - N-CHANNEL 120V S, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 405W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11384 pF @ 60 V.
Інші пропозиції PSMN6R3-120PS за ціною від 162.24 грн до 162.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN6R3-120PS | Виробник : NXP Semiconductors |
Description: PSMN6R3-120PS - N-CHANNEL 120V S Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 405W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11384 pF @ 60 V |
на замовлення 319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| PSMN6R3-120PS | Виробник : NEXPERIA |
PSMN6R3-120PS THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||
|
|
PSMN6R3-120PS | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 405W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11384 pF @ 60 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
PSMN6R3-120PS | Виробник : Nexperia |
MOSFET N-Channel MOSFET |
товару немає в наявності |