Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN6R5-25YLC,115
PSMN6R5-25YLC,115

PSMN6R5-25YLC,115 Nexperia USA Inc.

PSMN6R5-25YLC.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 64A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN6R5-25YLC,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN6R5-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 64 A, 5500 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V, Verlustleistung: 48W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm.

Інші пропозиції PSMN6R5-25YLC,115 за ціною від 18.47 грн до 65.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN6R5-25YLC,115 PSMN6R5-25YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN6R5-25YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 64A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 12 V
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.43 грн
10+39.21 грн
100+25.56 грн
500+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-25YLC,115 PSMN6R5-25YLC,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN6R5-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 64 A, 5500 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-25YLC,115 PSMN6R5-25YLC,115 Nexperia PSMN6R5_25YLC-1544589.pdf MOSFETs PSMN6R5-25YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 3174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-25YLC,115 PSMN6R5-25YLC,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN6R5-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 64 A, 5500 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-25YLC,115 PSMN6R5-25YLC.pdf
PSMN6R5-25YLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 64A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 12 V
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.43 грн
10+39.21 грн
100+25.56 грн
500+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-25YLC,115 NEXP-S-A0003059749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN6R5-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN6R5-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 64 A, 5500 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-25YLC,115 PSMN6R5_25YLC-1544589.pdf
PSMN6R5-25YLC,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN6R5-25YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 3174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-25YLC,115 NEXP-S-A0003059749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN6R5-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN6R5-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 64 A, 5500 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.