Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN6R5-80BS,118
PSMN6R5-80BS,118

PSMN6R5-80BS,118 Nexperia USA Inc.

PSMN6R5-80BS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+81.82 грн
1600+73.23 грн
2400+70.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN6R5-80BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN6R5-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN6R5-80BS,118 за ціною від 73.10 грн до 245.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN6R5-80BS,118 PSMN6R5-80BS,118 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN6R5-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+137.49 грн
500+107.79 грн
1000+89.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80BS,118 PSMN6R5-80BS,118 Виробник : Nexperia PSMN6R5_80BS-2939131.pdf MOSFET PSMN6R5-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.36 грн
10+171.33 грн
100+120.36 грн
500+98.34 грн
800+81.46 грн
2400+75.59 грн
4800+73.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80BS,118 PSMN6R5-80BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN6R5-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.37 грн
10+148.16 грн
100+102.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80BS,118 PSMN6R5-80BS,118 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN6R5-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+245.34 грн
10+186.06 грн
100+144.08 грн
500+111.62 грн
1000+92.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80BS,118 PSMN6R5-80BS,118 Виробник : NEXPERIA 3006999609012252psmn6r5-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN6R5-80BS.pdf PSMN6R5-80BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.