Продукція > NEXPERIA > PSMN6R5-80PS,127
PSMN6R5-80PS,127

PSMN6R5-80PS,127 Nexperia


PSMN6R5_80PS-2939065.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFET PSMN6R5-80PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 5290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.08 грн
10+169.57 грн
100+117.40 грн
250+108.32 грн
500+97.84 грн
1000+84.56 грн
2500+79.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN6R5-80PS,127 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V.

Інші пропозиції PSMN6R5-80PS,127 за ціною від 186.74 грн до 234.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R5-80PS,127 Виробник : NEXPERIA PSMN6R5-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 470A
Power dissipation: 210W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.62 грн
10+186.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R5-80PS,127 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN6R5-80PS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.