PSMN6R7-40MLDX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 20 V
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Технічний опис PSMN6R7-40MLDX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN6R7-40MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 65W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V, Verlustleistung: 65W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1210, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm.
Інші пропозиції PSMN6R7-40MLDX за ціною від 12.22 грн до 100.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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PSMN6R7-40MLDX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN6R7-40MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V Verlustleistung: 65W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1210 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm |
на замовлення 1053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PSMN6R7-40MLDX | Nexperia |
MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 50A |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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PSMN6R7-40MLDX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PSMN6R7-40MLDX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN6R7-40MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V Verlustleistung: 65W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm |
на замовлення 1053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| PSMN6R7-40MLDX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN6R7-40MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
Description: NEXPERIA - PSMN6R7-40MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 40.49 грн |
| 500+ | 33.06 грн |
| 1000+ | 25.49 грн |
| PSMN6R7-40MLDX |
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Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 50A
MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 50A
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 79.18 грн |
| 10+ | 48.66 грн |
| 100+ | 27.51 грн |
| 500+ | 17.53 грн |
| 1000+ | 14.94 грн |
| 1500+ | 13.62 грн |
| 3000+ | 12.22 грн |
| PSMN6R7-40MLDX |
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Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
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Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.34 грн |
| 10+ | 54.54 грн |
| 50+ | 40.30 грн |
| 100+ | 33.50 грн |
| PSMN6R7-40MLDX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN6R7-40MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
Description: NEXPERIA - PSMN6R7-40MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Bauform - Transistor: SOT-1210
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Produktpalette: -
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 100.20 грн |
| 14+ | 62.32 грн |
| 100+ | 40.49 грн |
| 500+ | 33.06 грн |
| 1000+ | 25.49 грн |