PSMN6R7-40MLDX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 22.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN6R7-40MLDX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN6R7-40MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN6R7-40MLDX за ціною від 15.78 грн до 76.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN6R7-40MLDX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN6R7-40MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: SOT-1210 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN6R7-40MLDX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMN6R7-40MLD/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 4107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN6R7-40MLDX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN6R7-40MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN6R7-40MLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 20 V |
на замовлення 2770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PSMN6R7-40MLDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A Case: LFPAK33; SOT1210 Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 31nC On-state resistance: 16.7mΩ Drain current: 50A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 65W Pulsed drain current: 282A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| PSMN6R7-40MLDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A Case: LFPAK33; SOT1210 Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 31nC On-state resistance: 16.7mΩ Drain current: 50A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 65W Pulsed drain current: 282A |
товару немає в наявності |