PSMN6R7-40MSDX Nexperia
Виробник: NexperiaMOSFETs N-channel 40 V, 6.7 mohm, standard level MOSFET in LFPAK33 using NextPower-S3 technology
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 80.48 грн |
| 10+ | 57.15 грн |
| 100+ | 33.89 грн |
| 500+ | 28.37 грн |
| 1000+ | 24.51 грн |
| 1500+ | 23.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN6R7-40MSDX Nexperia
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A, Case: LFPAK33; SOT1210, Kind of channel: enhancement, Technology: NextPowerS3, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 22nC, On-state resistance: 13mΩ, Drain current: 50A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 40V, Power dissipation: 65W, Pulsed drain current: 282A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PSMN6R7-40MSDX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| PSMN6R7-40MSDX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
||
| PSMN6R7-40MSDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A Case: LFPAK33; SOT1210 Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 22nC On-state resistance: 13mΩ Drain current: 50A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 65W Pulsed drain current: 282A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| PSMN6R7-40MSDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V LFPAK33 |
товару немає в наявності |
||
| PSMN6R7-40MSDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A Case: LFPAK33; SOT1210 Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 22nC On-state resistance: 13mΩ Drain current: 50A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 65W Pulsed drain current: 282A |
товару немає в наявності |