Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN6R7-40MSDX
PSMN6R7-40MSDX

PSMN6R7-40MSDX Nexperia USA Inc.

PSMN6R7-40MSD.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+26.32 грн
3000+23.34 грн
4500+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN6R7-40MSDX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: LFPAK33, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PSMN6R7-40MSDX за ціною від 27.51 грн до 93.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN6R7-40MSDX PSMN6R7-40MSDX Nexperia USA Inc. PSMN6R7-40MSD.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 20 V
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.14 грн
10+56.56 грн
100+37.51 грн
500+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R7-40MSDX PSMN6R7-40MSDX Nexperia PSMN6R7-40MSD.pdf MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 50A
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R7-40MSDX PSMN6R7-40MSD.pdf
PSMN6R7-40MSDX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 20 V
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.14 грн
10+56.56 грн
100+37.51 грн
500+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R7-40MSDX PSMN6R7-40MSD.pdf
PSMN6R7-40MSDX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 50A
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.