| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 20.17 грн |
| 3000+ | 19.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN7R0-30YL,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN7R0-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 7000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN7R0-30YL,115 за ціною від 18.33 грн до 78.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN7R0-30YL,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 12 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN7R0-30YL,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN7R0-30YL,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN7R0-30YL,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 61A |
на замовлення 3072 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN7R0-30YL,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 12 V |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN7R0-30YL,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN7R0-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 7000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 51W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PSMN7R0-30YL,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 76A; Idm: 260A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 260A Drain current: 76A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 10nC On-state resistance: 6.97mΩ Power dissipation: 51W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 |
на замовлення 245 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
PSMN7R0-30YL,115 Код товару: 143103
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
PSMN7R0-30YL,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
PSMN7R0-30YL,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |