PSMN7R0-30YLC,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1057 pF @ 15 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 18.25 грн |
| 3000+ | 15.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN7R0-30YLC,115 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1057 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PSMN7R0-30YLC,115 за ціною від 14.32 грн до 71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN7R0-30YLC,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1057 pF @ 15 V |
на замовлення 8164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN7R0-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN7R0-30YLC/SOT669/LFPAK |
на замовлення 25707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PSMN7R0-30YLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A Pulsed drain current: 245A Power dissipation: 48W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PSMN7R0-30YLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A Pulsed drain current: 245A Power dissipation: 48W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
PSMN7R0-30YLC,115 Код товару: 143525 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|