Інші пропозиції PSMN7R0-30YLC,115 за ціною від 20.26 грн до 74.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN7R0-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN7R0-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN7R0-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN7R0-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN7R0-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN7R0-30YLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Gate charge: 7.9nC On-state resistance: 7.6mΩ Power dissipation: 48W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 61A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 245A Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 |
на замовлення 1390 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN7R0-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 61A |
на замовлення 16742 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN7R0-30YLC,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1057 pF @ 15 V |
на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN7R0-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN7R0-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN7R0-30YLC,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1057 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |